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J-GLOBAL ID：202002226719402538   整理番号：20A2259428

CMOSイメージセンサにおける陽子照射誘起暗電流劣化【JST・京大機械翻訳】

Proton Radiation Induced Dark Current Degradation in CMOS Image Sensor

著者 (5件)： Liu Chao (Northwestern Polytechnical University,Institute of Microelectronics,Xi’an,710072 Shaanxi,China) ,  Zheng Ran (Northwestern Polytechnical University,Institute of Microelectronics,Xi’an,710072 Shaanxi,China) ,  Wei Xiaomin (Northwestern Polytechnical University,Institute of Microelectronics,Xi’an,710072 Shaanxi,China) ,  Wang Jia (Northwestern Polytechnical University,Institute of Microelectronics,Xi’an,710072 Shaanxi,China) ,  Hu Yann (Northwestern Polytechnical University,Institute of Microelectronics,Xi’an,710072 Shaanxi,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICREED  ページ： 1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 陽子放射実験は,CMOSイメージセンサの暗電流ノイズのために実行して,暗電流ノイズの平均値と不均一性に及ぼす照射の間,陽子エネルギー,フルエンス比率および適用したバイアス電圧の影響を調査した。室温でのアニーリング試験結果も示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  焼なまし ,  *陽子 ,  *陽子照射 ,  *暗電流 ,  不均一性 ,  フルエンス ,  CMOSイメージセンサ ,  陽子放射
準シソーラス用語： バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOSイメージセンサ ,  陽子照射 ,  誘起 ,  暗電流