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J-GLOBAL ID：202002226821958094   整理番号：20A2237402

有機半導体の電子移動とGaussian Disorder ModelにおけるC-factorとの関係

Relationship between electron transfer and C-factor of Gaussian Disorder Model in organic semiconductors

著者 (5件)： 大野玲 (東工大 未来研) ,  新田武父 (東工大 未来研) ,  高屋敷由紀子 (東工大 未来研) ,  半那純一 (東工大 未来研) ,  飯野裕明 (東工大 未来研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13a-A405-2  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】近年、我々は液晶性有機半導体の一種である、Ph-BTBT-10(2-phenyl-7-decyl benzothino benzo thiophene)を作成し、溶液プロセスで、液晶を前駆体として作成した薄膜によるFETの移動度が1...【本文一部表示】

シソーラス用語： 移動度 ,  液晶 ,  シミュレーション ,  単結晶 ,  低温 ,  電場 ,  薄膜 ,  *有機半導体 ,  温度依存性 ,  規則度 ,  パーコレーション ,  並進 ,  *電子移動 ,  電界強度
準シソーラス用語： Arrheniusプロット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 有機半導体 ,  電子移動