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J-GLOBAL ID:202002227900489431   整理番号:20A2726769

超高速キャリア緩和があるInAs量子ドット層の横方向光電流の移動度と活性化エネルギー【JST・京大機械翻訳】

Mobility and activation energy of lateral photocurrent of InAs quantum dot layers with ultrafast carrier relaxation
著者 (6件):
資料名:
巻: 126  ページ: Null  発行年: 2021年 
JST資料番号: W1066A  ISSN: 1386-9477  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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超高速キャリア緩和時間と1.5μmバンド吸収を有する積層InAs量子ドット(QD)層における光キャリアの横方向移動度と光電流(PC)の活性化エネルギーを決定した。横方向移動度は,テラヘルツ(THz)波検出のための1.5μmのゲート光で動作する光伝導アンテナへのQD層の適用における重要なパラメータの一つである。PC分光法の温度依存性から得られた活性化エネルギーは,機構を解明するために重要であり,アンテナ操作のための温度範囲の指標である。光キャリア密度に対する移動度の依存性をポンプパワー依存性から評価した。移動度は,暗所の42cm2/V_sからレーザ照明時の416cm2/V_sまで急激に増加し,次に発生した光キャリアの数の増加とともに低下した。約1400nmのInAs QD層からの広いPCピークを4~292Kの温度範囲で連続的に監視した。InAs QD層からのPCの活性化エネルギーを,PCが著しく増加した159~240Kの温度範囲で評価した。1200-1600nmの波長範囲における広いPCピークにおいて,活性化エネルギーは波長とともに48から62meVに増加した。より低い温度で観察されたPCは電子の熱逃避を考慮して誘導されなかったが,Auger過程を通して決定された。超高速キャリア緩和を有するInAs QD層はTHz波検出用の光伝導アンテナ応用においてかなりの可能性を有する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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半導体レーザ 

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