Kumagai Naoto について
GaN Advanced Device Open Innovation Laboratory, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Nagoya, Japan について
Kumagai Naoto について
Electronics and Photonics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Japan について
Lu Xiangmeng について
Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, 2-1, Minamijyousanjima-cho, Tokushima, 770-8506, Japan について
Minami Yasuo について
Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, 2-1, Minamijyousanjima-cho, Tokushima, 770-8506, Japan について
Kitada Takahiro について
Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, 2-1, Minamijyousanjima-cho, Tokushima, 770-8506, Japan について
Isu Toshiro について
The Former Prof. at Center for Frontier Research of Engineering, Tokushima University, Tokushima, Japan について
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures について
アンテナ について
移動度 について
活性化エネルギー について
キャリア移動度 について
光伝導 について
光電流 について
波長 について
ヒ化インジウム について
温度依存性 について
キャリア密度 について
テラヘルツ波 について
温度範囲 について
キャリア緩和時間 について
光伝導アンテナ について
キャリア緩和 について
InAs量子ドット について
光電流分光法 について
活性化エネルギー について
光キャリア移動度 について
光伝導性アンテナ について
半導体レーザ について
キャリア緩和 について
InAs量子ドット について
横方向 について
光電流 について
移動度 について
活性化エネルギー について