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J-GLOBAL ID：202002227952666384   整理番号：20A2293238

自己組織化エピタキシャル成長InAs表面量子ドットの成長速度論に及ぼす垂直誘起歪の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of vertical induced strain on growth kinetics of self-assembled epitaxially grown InAs surface quantum dots

著者 (6件)： Mantri Manas R. (Indian Institute of Technology Bombay (India)) ,  Panda Debiprasad (Indian Institute of Technology Bombay (India)) ,  Das Debabrata (Indian Institute of Technology Bombay (India)) ,  Kumar Ravinder (Indian Institute of Technology Bombay (India)) ,  Gazi Sanowar Alam (Indian Institute of Technology Bombay (India)) ,  Chakrabarti Subhananda (Indian Institute of Technology Bombay (India))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11465  ページ： 114651C-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去10年間,GaAs基板上に成長したInAs Stranski-Krastanov(S-K)量子ドット(QDs)は,光電子デバイスのために広く研究されている。最近の過去に,非キャップ表面QDsは,汚染物質のより低いモル濃度に対する適切な感度を有するセンシング応用に対して多くの注目を集めている。不均一サイズ分布は自己集合S-K成長プロセスの固有の性質であるが,表面QDsの感度はこれに大きく影響される。ここでは,非一様性を低減するために,低障壁層厚さを有する埋込みQD層上に表面QDsを成長させた。一般的に,InAs QDの2Dから3Dへの転移は1.7単分子層(ML)以上でのみ起こる。しかし,3D転移は,下層のQDから誘起された残留歪を有するより低い単分子層被覆率でも可能である。本研究では,特に,厚さ8nmのGaAsスペーサを有する2.7ML埋込みQD層上の1.6ML被覆率でInAs表面QD層を成長させた。表面ドットの成長に及ぼす下部InAs QD層の垂直誘起歪の影響を調べた。表面QDsの形態を原子間力顕微鏡(AFM)により観察し,それはより低い欠陥を有する均一なQDの形成を示す。低温光ルミネセンス(PL)分光法は,埋込みと表面QDの間の波動関数の重なりの証拠を与える。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  低温 ,  波動関数 ,  光ルミネセンス ,  ヒ化ガリウム ,  単分子層 ,  *ヒ化インジウム ,  二次元 ,  三次元 ,  残留歪 ,  下層 ,  原子間力顕微鏡 ,  *量子ドット ,  自己集合
準シソーラス用語： バリア層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 自己組織化 ,  エピタキシャル成長 ,  InAs ,  量子ドット ,  成長速度論 ,  垂直 ,  誘起 ,  歪