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J-GLOBAL ID：202002228012359609   整理番号：20A0420247

半導体ナノワイヤの面内および面外成長領域のモデル【JST・京大機械翻訳】

The model for in-plane and out-of-plane growth regimes of semiconductor nanowires

著者 (4件)： Berdnikov Y (ITMO university, St. Petersburg, 197101, Russia) ,  Sibirev N V (ITMO university, St. Petersburg, 197101, Russia) ,  Reznik R R (ITMO university, St. Petersburg, 197101, Russia) ,  Redkov A V (ITMO university, St. Petersburg, 197101, Russia)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1410  号： 1  ページ： 012049 (6pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,蒸気-液体-固体成長が面内(水平)または面外(垂直または傾斜)ナノワイヤの形成を優先的にもたらすかどうかを予測できるモデルを提示した。モデル内で,Ge(111),Ge(110)及びSi(100)基板上の金触媒ゲルマニウムナノワイヤ成長の特殊な場合を解析した。成長過程の2つの側面に焦点を合わせた:基板からの触媒の脱離とナノワイヤ-基板-液体ラインでの核形成による水平成長の安定化。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： VLS成長 ,  脱着 ,  触媒 ,  核形成 ,  *ナノワイヤ ,  成長段階 ,  遷移金属触媒
準シソーラス用語： 金触媒 ,  シリコン(100) ,  *半導体ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体ナノワイヤ ,  成長 ,  モデル