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J-GLOBAL ID:202002228386119215   整理番号:20A1517344

Ge置換Na-テニオライトのイオン伝導に与えるditrigonal holeの大きさとNa+イオンの位置の影響

Influence of Size of Ditrigonal Hole and Location of Na+ Ions on Ionic Conductivity of Ge-Substituted Na-Taeniolites
著者 (4件):
資料名:
巻: 59  号:ページ: 18-27(J-STAGE)  発行年: 2020年 
JST資料番号: G0435A  ISSN: 0470-6455  CODEN: NEKAAJ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本研究では,Ge置換Na-テニオライト(NaMg2LiSi4-xGexO10F2,x=0,1,2,3,4;Ge-NTA,x=0-4)のイオン伝導度に及ぼすditrigonal holeの大きさとNa+イオンの位置の影響を調べた。x=0-3のGe-NTAの格子定数bおよび底面間隔c-sinβは,Ge含有量の増加とともに増加し,それらのbおよびc-sinβは直線関係を示した。しかし,x=4のGe-NTAのbとc=sinβは,x=4のGe-NTAの構造変形がx=0-3のGe-NTAのそれよりかなり大きいため,直線関係から逸脱した。さらに,Ge含有量の増加に伴い,Ge-NTAのditrigonal holeの大きさは減少した。しかし,x=0-3のGe-NTAの格子定数bは増加した。x=0-3のGe-NTAでは,3種類のNa+イオンが存在する。それらは,層間の水和Na+オン,底面酸素に取り囲まれたNa+イオン,およびditrigonal holeに引き込まれたNa+イオンである。Ge-NTA中のditrigonal holeの大きさはGe含有量の増加とともに小さくなるので,底面酸素によって囲まれたNa+イオンは増加し,Na+イオンと底面酸素との結合はより強くなった。x=4のGe-NTAでは,Na+イオンは3つの底面酸素とF-イオンが配位し,ditrigonal hole内部でかなり制限されるように見えた。Ge-NTAのイオン伝導度を交流4プローブ法を用いて400から600°Cで測定した。Ge-NTAのイオン伝導度は,x=0-3のGe-NTAの場合,Na+イオンと底面酸素の間の結合はGe含有量の増加とともに強くなるため,Ge含有量の増加に伴って減少し,x=4のGe-NTAの場合,ditrigonal hole内部でかなり制限されたNa+イオンは,イオン伝導率にほとんど寄与しなかった。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
分類
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固体中の拡散一般  ,  珪酸塩鉱物  ,  その他の無機化合物の結晶構造 
引用文献 (19件):

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