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J-GLOBAL ID：202002228441080704   整理番号：20A2268682

SiO_2とAl_2O_3/SiO_2ゲート誘電体を有するp型SnO薄膜トランジスタのゲート誘起電気的不安定性に関する比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative Study on the Gate-Induced Electrical Instability of p-Type SnO Thin-Film Transistors with SiO₂ and Al₂O₃/SiO₂ Gate Dielectrics

著者 (14件)： Jang Younjin (Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Jun Shik (Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kang Sukin (Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Jihun (Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Lee Yonghee (Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Kwangmin (Graduate School of Engineering Practice, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Whayoung (Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Choi Heenang (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea) ,  Kim Nayeon (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea) ,  Eom Taeyong (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea) ,  Chung Taek-Mo (Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea) ,  Jeon Woojin (Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, Kyung Hee University, Yongin, 17104, Republic of Korea) ,  Lee Sang Yoon (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Hwang Cheol Seong (Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 14  号： 10  ページ： e2000304  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO_2とAl_2O_3/SiO_2ゲート誘電体層を有するSnO薄膜トランジスタ(TFTs)のゲート誘起電気不安定性を評価した。SnO TFTsの移動特性におけるヒステリシス電圧(V_hy)と閾値電圧(V_th)は,掃引範囲とゲート電圧(V_GS)速度に依存する。Al_2O_3/SiO_2ゲート誘電体層を有するTFTは,Al_2O_3層のないデバイスと比較して,V_hyと安定なV_thの減少を示す。SnOチャネルとSiO_2層間のAl_2O_3層の導入は,チャネル/誘電体界面での電子と正孔のトラッピングを抑制し,正孔トラッピング効果を打ち消す移動酸素空孔を含む。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  正孔 ,  電圧 ,  *誘電体 ,  酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化スズ ,  不安定性 ,  チャネル ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  トラッピング ,  電荷捕獲 ,  酸素空格子点 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電荷捕獲 ,  ヒステリシス電圧 ,  酸化物薄膜トランジスタ ,  閾値電圧 ,  酸化すず

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート誘電体 ,  薄膜トランジスタ ,  ゲート ,  誘起 ,  不安定性 ,  研究