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J-GLOBAL ID:202002228613674729   整理番号:20A1077160

深UV-LEDの量子井戸における性能と組成勾配の間の相関【JST・京大機械翻訳】

Correlation between performance and compositional grading in quantum well of deep UV-LED
著者 (6件):
資料名:
巻: 210  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0251A  ISSN: 0030-4026  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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素子の電気的及び光学的性能に及ぼす効果を観測するために,量子井戸(QW)中に直線的に傾斜したAl含有量をもつ新しいAlGaN/AlGaN多重量子井戸発光ダイオード(LED)構造を徹底的に調べた。その結果,活性領域を横切る偏光形状はアルミニウムの濃度分布に大きく依存し,正孔注入を促進することにより全体的な放射再結合を決定し,電子正孔波動関数重なりを改善するのに重要な役割を果たすことを確認した。相関するために,成長方向に沿って,反対に量子井戸の組成勾配の変化を伴う2つの修正構造を研究し,従来の構造と比較した。結果は,成長方向において72%から76%まで変化するQWにおけるAl組成勾配を有する構造がデバイス性能を強化することを明らかにした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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著者キーワード (4件):
分類 (2件):
分類
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半導体レーザ  ,  量子光学一般 
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