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J-GLOBAL ID：202002228667962594   整理番号：20A1199954

結晶シリコンPVデバイスの最大電力における電流と電圧の温度と放射照度依存性【JST・京大機械翻訳】

Temperature and irradiance dependences of the current and voltage at maximum power of crystalline silicon PV devices

著者 (4件)： Seapan Manit (Department of Risk Engineering, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Hishikawa Yoshihiro (Renewable Energy Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Yoshita Masahiro (Renewable Energy Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Okajima Keiichi (Department of Risk Engineering, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 204  ページ： 459-465  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最大電力(I_mp)における電流の温度と放射照度依存性,および結晶性シリコン光起電力(PV)素子の最大電力(V_mp)における電圧を,単一ダイオードモデルに基づく実験と数値シミュレーションによって研究した。実験的I_mpは一定照射での温度変化に対してほぼ一定であり,パラメータの範囲にわたる273.15~343.15K(0~70°C)での±0.02%/K以内のシミュレーション結果は典型的な市販結晶シリコンPVデバイスを代表することを示した。実験I_mpは,固定温度での放射照度(G)にほぼ比例し,シミュレーション結果と一致した。I_mp/Gは,0.5~1.2kW/m2の間の放射照度範囲に対して±1.3%以内でほぼ一定であった。これらの結果に基づいて,V_mpの温度補正のための新しい式を提案した。それは,ダイオードパラメータと温度係数の進歩情報を必要としない。屋外で測定し,25°Cで補正したI_mp-V_mp曲線は,多くの日に対して±0.13%以内の良好な再現性を示し,式の妥当性を確認した。最大パワーP_maxは,V_mpの温度補正によって,正確に推定することもできた。これらの結果は,I_mpとV_mp値を用いることにより,結晶シリコンPVデバイスの性能を特性化するのに有用であり,それは,それらの最大電力点追跡(MPPT)操作の間に測定できる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光起電力 ,  シミュレーション ,  ダイオード ,  *電圧 ,  *電流 ,  温度変動 ,  太陽光発電 ,  *放射照度 ,  温度係数
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  *ピーク電力 ,  温度補正 ,  *照度依存性 ,  最大電力点 ,  *結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 最大電力点における電圧 ,  最大電力点での電流 ,  温度依存性 ,  放射照度依存性 ,  結晶シリコン太陽光発電

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  太陽光発電  (NB03090G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶シリコン ,  PV ,  最大電力 ,  放射 ,  照度依存性