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J-GLOBAL ID：202002229145686987   整理番号：20A0199037

高品質n型Ohm接触を実現するためのAl/n-GaN障壁特性への洞察【JST・京大機械翻訳】

Insight into the Al/N-GaN barrier property to realize high quality n-type Ohmic contact

著者 (8件)： Wang Ting (Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, 330018, China) ,  Xiong Zhihua (Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, 330018, China) ,  Zhao Juanli (Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, 330018, China) ,  Wu Ning (Beijing National Center for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Wu Ning (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Du Kun (Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, 330018, China) ,  Zhou Mingbin (Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, 330018, China) ,  Ao Lei (Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, 330018, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 818  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属とN面n-GaN(N-GaN)の間の界面におけるSchottky障壁の制御は,高品質のOhm接触を実現するために非常に重要である。Al(111)とN-GaN(Al/N-GaN)界面のn型Schottky特性に及ぼす異なる欠陥の影響を第一原理計算を用いて研究した。計算結果から,Al/N-GaN界面のn型Schottky障壁高さは窒素空格子点(VN)のような欠陥と窒素サイト(ON)の酸素ドーパントにより減少し,ガリウム空格子点(VGa)とON-VGa錯体の導入により増強されることを示した。界面配置とキャリア輸送特性が金属-半導体接触のOhm特性の制御に重要な役割を果たすことを実証した。これに基づいて,n型Schottky障壁高さの形成機構の概略図を確立した。さらに,短いAl-N結合を持つAl/N-GaN界面にドナー欠陥を導入すると,空乏領域が薄くなり,トンネリングが増大することが分かった。これはGaN系LEDのOhm接触を改善するためのより良い解決策であることが分かった。著者らの理論的研究は,Al/N-GaNの接触特性の基本的理解を豊かにし,低抵抗N-GaNと金属接触素子を設計するための重要な指針を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーパント ,  第一原理 ,  半導体 ,  *Ohm接触 ,  ドナー ,  トンネル効果 ,  錯体 ,  Schottky障壁 ,  界面 ,  *窒化ガリウム ,  酸素
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  窒素空格子点 ,  Schottky障壁高さ ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Al/n-GaN界面 ,  欠陥 ,  Schottky障壁 ,  第一原理

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高品質 ,  Ohm接触 ,  Al ,  GaN ,  障壁 ,  洞察