文献

J-GLOBAL ID：202002229340580784   整理番号：20A1006114

シード支援シリコンにおける欠陥増殖に及ぼす界面での温度勾配の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of temperature gradient at interface on defect multiplication in seed-assisted multicrystalline silicon

著者 (5件)： Zhang Zhiqiang (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Material Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China) ,  Yuan Shuai (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Material Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China) ,  Yu Xuegong (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Material Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China) ,  Zhu Xiaodong (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Material Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China) ,  Yang Deren (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Material Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 211  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能多結晶シリコンとも呼ばれる,シード支援多結晶シリコン(SAMC-Si)の上部における欠陥増殖の制御は,多結晶シリコン(mc-Si)結晶品質の更なる改良のために重要になっている。本研究では,欠陥増殖と太陽電池性能に及ぼす固体/液体界面での温度勾配の影響を調べた。固体/液体界面での時間内温度勾配を得るために,方程式と実験方法を開発した。上部インゴットでの増殖速度は固体/液体界面での温度勾配に強く関連することが分かった。温度勾配を修正した後,インゴットの上部の欠陥密度は約40%減少し,太陽電池効率は平均約0.07%増加した。最後に,欠陥増殖の機構と制御について議論した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  太陽電池 ,  *ケイ素 ,  インゴット ,  *温度勾配 ,  欠陥密度 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： 結晶品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： シリコン ,  種子支援 ,  高性能 ,  欠陥密度 ,  温度勾配 ,  転位 ,  太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 支援 ,  シリコン ,  欠陥 ,  増殖 ,  界面 ,  温度勾配