半導体加工におけるプロセス弱点を同定するためのツールとしての電子ビーム検査とオーバレイの使用【JST・京大機械翻訳】

Owusu-Boahen Kwame; Patil Suraj; Vijayakumar Arun; Pate Alex; Han Carl; Schwitzgebel Jorg; Kim Chulwoo; Moreau David J.

文献

J-GLOBAL ID：202002229367583605 整理番号：20A1020920

半導体加工におけるプロセス弱点を同定するためのツールとしての電子ビーム検査とオーバレイの使用【JST・京大機械翻訳】

Using e-Beam inspection and overlay as tool for identifying process weaknesses in semiconductor processing

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資料名：
巻： 11325 ページ： 113251V-5 発行年： 2020年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

今日の半導体デバイスの製造における複雑なデバイス形状と新しい材料の導入に結合した収縮設計則は,固有のデバイスの弱点を生み出し,その結果,欠陥に影響する欠陥をもたらす機構をもたらす。フィンFETの開発と導入は,更なる縮小設計ルールに対して最も重要な役割を果たしている。しかし,これらの高性能フィンFETデバイスを製造するのに含まれる設計と複雑な製造プロセスは,デバイス性能と収率にかなりの影響を持つ新しいクラスの欠陥をもたらす。これらの欠陥のいくつかはウエハ表面の下に埋め込まれ,検出が非常に困難である。それらはしばしば光学検査によって見過ごされ,最終試験で失敗するだけである。次に,故障解析(FA)は,それらが明らかにされない唯一の手段になる。FAは破壊的な方法であり,その利点は事実の後にのみ実現される。FAと異なり,e-Beam検査は電子光学を使用し,欠陥構造とその参照の間の電圧コントラスト(VC)により電気的に埋め込まれた欠陥を検出するユニークな能力を持つ。プロセスウィンドウがより厳しくなり,より厳しいプロセスマージンが予測するのが難しくなる。本研究では,e-Beam検査とオーバレイデータを用いて,ウエハ上のプロセス弱点領域を同定し,故障を予測し,プロセスを最適化し,収率を改善した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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固体デバイス製造技術一般

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