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J-GLOBAL ID：202002229458228040   整理番号：20A1916510

デバイス動作温度でのフラットバンド電位モニタリングによる窒化けい素中のナトリウムイオン移動の定量化【JST・京大機械翻訳】

Quantification of Sodium-Ion Migration in Silicon Nitride by Flatband-Potential Monitoring at Device-Operating Temperatures

著者 (8件)： von Gastrow Guillaume (Department of Nanoengineering, University of California San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA) ,  Martinez-Loran Erick (Department of Nanoengineering, University of California San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA) ,  Scharf Jonathan (Department of Nanoengineering, University of California San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA) ,  Clenney Jacob (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, 85287, USA) ,  Meier Rico (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, 85287, USA) ,  Bandaru Prabhakar (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA) ,  Bertoni Mariana I. (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, 85287, USA) ,  Fenning David P. (Department of Nanoengineering, University of California San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217  号： 16  ページ： e2000212  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静電容量-電圧測定に基づく誘電体中のイオン移動の動力学を定量化するためのトラップ補正バイアス-温度-応力(TraC-BTS)法を示した。この方法は,金属-絶縁体-半導体試験構造におけるフラットバンド電位(V_fb)シフトの抽出に基づいており,半導体誘電体と太陽電池の信頼性評価を可能にする。ここでは,シリコン-窒化物系キャパシタにおけるフラットバンド電位の測定に強く影響するので,誘電体中のキャリアトラッピングを考慮しなければならないことを示した。この効果を,汚染フリー制御デバイスを用いたV_fbへのトラッピングの寄与を分離することにより補正した。ここに示したイオン動力学の特異的ドリフト拡散モデルはイオン拡散の抽出を可能にした。1MV cm-1の電場で30°Cから90°Cの温度範囲で窒化けい素中のナトリウム拡散係数に対してArrhenius関係が得られ,拡散係数の[[数式:原文を参照]]eVの95%信頼区間で前因子[数式:原文を参照]と活性化エネルギー[数式:原文を参照]を得た。これらの定量的速度論は,窒化けい素が有意な電場下で乏しいナトリウム移動障壁である可能性があることを確認した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 拡散係数 ,  活性化エネルギー ,  コンデンサ ,  太陽電池 ,  電圧 ,  *電位 ,  電場 ,  半導体 ,  誘電体 ,  *ナトリウム ,  ドリフト ,  *イオン輸送 ,  静電容量 ,  *窒化ケイ素
準シソーラス用語： トラッピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 容量-電圧 ,  イオン移動 ,  太陽光発電 ,  電位誘起劣化 ,  ナトリウム

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 動作温度 ,  フラットバンド ,  電位 ,  モニタリング ,  窒化けい素 ,  ナトリウム ,  イオン移動 ,  定量化