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J-GLOBAL ID：202002229713407845   整理番号：20A1318978

Zn層挿入によるGaドープZnO膜の電気抵抗率低減と空間的均質化【JST・京大機械翻訳】

Electrical resistivity reduction and spatial homogenization of Ga-doped ZnO film by Zn layer insertion

著者 (6件)： Yamada Yasuji (Physics and Materials Science, Shimane University 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8405, Japan) ,  Sancakoglu Orkut (Physics and Materials Science, Shimane University 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8405, Japan) ,  Sancakoglu Orkut (Metallurgical and Materials Engineering, Dokuz Eylul University 35160 Buca, Izmir, Turkey) ,  Sugiura Rei (Physics and Materials Science, Shimane University 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8405, Japan) ,  Shoriki Motonari (Physics and Materials Science, Shimane University 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8405, Japan) ,  Funaki Shuhei (Physics and Materials Science, Shimane University 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8405, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 707  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Zn層を挿入したGaドープZnO(GZO)膜をスパッタリング法により室温で堆積し,キャリア補償欠陥を減少させた。Zn挿入GZO膜はキャリア密度の増加に起因する抵抗率減少を示した。キャリア密度は熱アニーリングによってさらに増加し,約400°Cで最大値を示した。膜表面へのSiO_2キャッピング層の形成は400°Cより高い温度でキャリア密度を高め,200nm厚の膜で3.3×10-4Ωcmの抵抗率の低下をもたらした。さらに,スパッタリング堆積プロセスにおけるエロージョン位置に誘起された抵抗率劣化は消失した。キャリア密度の増加,抵抗率の減少,および電気的性質の均質化は,蒸着プロセスの間にGaドープZnO膜中に誘起された亜鉛空格子点のようなキャリア補償結晶欠陥がZn濃縮によって減少することを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 格子欠陥 ,  焼なまし ,  *電気抵抗率 ,  *亜鉛 ,  電気的性質 ,  *ガリウム ,  *酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  キャリア密度 ,  スパッタ蒸着 ,  熱アニーリング ,  エロージョン
準シソーラス用語： キャップ層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 透明導電性酸化物 ,  スパッタリング ,  アニーリング ,  受容体様欠陥 ,  キャリア密度

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Zn ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO ,  電気抵抗率 ,  均質化