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J-GLOBAL ID：202002230063198998   整理番号：20A0334781

MOS_2電界効果トランジスタの構造特性と電気特性に及ぼすElectron照射効果【JST・京大機械翻訳】

Electron radiation effects on the structural and electrical properties of MoS₂ field effect transistors

著者 (14件)： Li Heyi (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China) ,  Liu Chaoming (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China) ,  Liu Chaoming (Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China) ,  Zhang Yanqing (Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China) ,  Qi Chunhua (Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China) ,  Wei Yidan (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China) ,  Wei Yidan (Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Dresden, D-01328, Germany) ,  Zhou Jiaming (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China) ,  Wang Tianqi (Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China) ,  Ma Guoliang (Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China) ,  Tsai Hsu-Sheng (Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China) ,  Tsai Hsu-Sheng (Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Dresden, D-01328, Germany) ,  Dong Shangli (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China) ,  Huo Mingxue (Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 30  号： 48  ページ： 485201 (7pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS_2電界効果トランジスタ(FET)の構造的および電気的性質に及ぼす空間放射の影響を研究した。1MeVの電子的に等価な国際宇宙ステーション(ISS)軌道を用いて,AP8とAE8モデルを用いて,10(1.0×10~12cm-2)と30年(3.0×10~12cm-2)の軌道に等価なフルエンスを適用した。X線光電子分光法(XPS),Ramanおよび光ルミネセンス(PL)スペクトルを照射前後に記録した。Electron照射はMoS_2FETにおいて強い脱硫効果を生じた。照射前後のPLスペクトルは著しくは変化しなかったが,A_1g Ramanモードはそれぞれ赤方偏移した。XPS結果は,MoS_2に及ぼす電子ビームの強い脱硫効果を示した。この減少はMo空格子点と比較して非常に高い量の照射誘起S空格子点を示す。装置の電気特性を照射前後に測定した。照射後のチャネル漏れ電流の増加は,酸化物トラッピング正電荷に起因した。電子ビームにより照射したMOS_2 FETは電流の減少を示した。この現象はSiO_2/MoS_2界面における状態とCoulomb散乱の組合せに起因する。著者らの研究は,将来の宇宙応用のためのMoS_2ベースのナノ電子デバイスに及ぼす1MeV電子ビーム照射の影響のより深い理解を提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  電子照射 ,  フルエンス ,  *電気特性 ,  漏れ電流 ,  X線光電子分光法 ,  Coulomb散乱 ,  酸化物 ,  電流 ,  電子ビーム ,  モリブデン ,  スペクトル ,  光ルミネセンス ,  界面 ,  宇宙空間

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界効果トランジスタ ,  構造特性 ,  電気特性 ,  照射効果