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J-GLOBAL ID：202002230153521430   整理番号：20A1640645

その場独立駆動4点プローブ測定によりプローブした[数式:原文を参照]上のFeSe超薄膜の界面超伝導【JST・京大機械翻訳】

Interfacial Superconductivity in FeSe Ultrathin Films on [Formula : see text] Probed by In Situ Independently Driven Four-Point-Probe Measurements

著者 (6件)： Pedersen Asger K. (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan) ,  Ichinokura Satoru (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan) ,  Tanaka Tomoaki (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan) ,  Shimizu Ryota (Department of Applied Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550, Japan) ,  Hitosugi Taro (Department of Applied Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550, Japan) ,  Hirahara Toru (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 124  号： 22  ページ： 227002  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非ドープ[数式:原文を参照](STO)上にエピタキシャル成長した1ユニットセルFeSe超薄膜の超伝導輸送特性を,in situ独立駆動4点プローブ測定により明確に定義された表面構造で調べた。著者らの結果は,通常と超伝導状態の両方で,下層基板を通して平行伝導のない膜の二次元電気伝導の検出を明確に明らかにした。単分子層膜は40Kの開始温度で超伝導転移を示した。驚くべきことに,超伝導の開始は3および5ユニットセル厚FeSe膜でも40Kで常に観察されたが,垂直抵抗率は厚さ増加で低下した。これらの結果は,[数式:原文を参照]界面および/またはFeSeの隣接第一層が超伝導になる界面超伝導の描像と一致するが,上層は通常の金属状態に留まる。観察された[数式:原文を参照]は,[数式:原文を参照]の以前のin situ輸送測定による報告よりはるかに低いが,キャッピング層を有するFeSeドープSTOのex situ測定で得られた結果と一致した。これはキャッピング層が[数式:原文を参照]を制限する必須因子ではないことを示唆する。ドープ基板からの電荷移動は,1ユニットセルFeSeにおいて,より高い温度超伝導を達成するために重要な役割を有することを,むしろ提案した。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *超伝導 ,  電荷移動 ,  電気抵抗率 ,  電気伝導 ,  表面構造 ,  プローブ ,  ドーピング ,  二次元 ,  下層 ,  上層 ,  *超薄膜
準シソーラス用語： 単分子膜 ,  キャップ層 ,  超伝導転移 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： プローブ ,  数式 ,  参照 ,  超薄膜 ,  界面 ,  超伝導