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J-GLOBAL ID：202002230567367244   整理番号：20A2237904

電気二重層トランジスタを用いて電子ドープしたFeSeにおける化学圧力効果

Chemical pressure effect for electron-doped FeSe with electric double-layer transistors

著者 (5件)： 色摩直樹 (東大 大学院) ,  崎下雄稀 (東大 大学院) ,  鍋島冬樹 (東大 大学院) ,  上野和紀 (東大 大学院) ,  前田京剛 (東大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13p-B408-11  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 鉄カルコゲナイド超伝導体FeSeは,電子ドープやインターカレーションにより超伝導転移温度Tcは9Kから40K程度まで急激に上昇することが知られている.この電子ドープFeSeの超伝導が, pristineのFeSeにおける超伝導,あるいはS...【本文一部表示】

シソーラス用語： 状態図 ,  超伝導 ,  薄膜 ,  *セレン ,  鉄 ,  テルル ,  *ドーピング ,  カルコゲン化物 ,  チタン酸ストロンチウム ,  Fermi面 ,  *圧力効果 ,  超伝導体 ,  インターカレーション ,  超伝導転移温度
準シソーラス用語： *電気二重層トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気二重層トランジスタ ,  電子 ,  ドープ ,  化学 ,  圧力効果