RFマグネトロンスパッタリングにより作製したインジウムドープZnOホモ接合の特性評価とデバイス応用【JST・京大機械翻訳】

Shaheera M.; Girija K.G.; Kaur Manmeet; Geetha V.; Debnath A.K.; Vatsa R.K.; Muthe K.P.; Gadkari S.C.

文献

J-GLOBAL ID：202002230579796384 整理番号：20A0883218

RFマグネトロンスパッタリングにより作製したインジウムドープZnOホモ接合の特性評価とデバイス応用【JST・京大機械翻訳】

Characterization and device application of indium doped ZnO homojunction prepared by RF magnetron sputtering

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資料名：
巻： 101 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W0468A ISSN： 0925-3467 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

自家製冷間プレス粉末ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタリング法により,非ドープおよびインジウムドープ酸化亜鉛(IZO)ナノ結晶薄膜を合成した。形態,結晶構造,元素分析を,FESEM,AFM,XRD,EDSおよびXPS技術を用いて研究した。全ての膜は六方晶系ウルツ鉱型構造を示し,インジウムドーピングにより(100),(002)および(101)ピーク強度のかなりの変化を明らかにした。ZnO膜へのInの取り込みをEDSとXPS測定により確認した。ドープされた膜のXPSと光ルミネセンス(PL)研究は,置換サイトでのZnO格子へのインジウムの取り込み後に,酸素空格子点(V_o)の著しい減少を示した。PLスペクトルはバンド遷移と欠陥準位発光に対応する畳込みピークを示した。光学的研究は,UV-vis領域において90%以上の高い透過率を示し,380nm付近に吸収端を示した。膜のバンドギャップエネルギーは,In含有量とともに3.27eVから3.42eVに増加した。さらに,SZO/IZOホモ接合層の典型的整流I-V特性を実証した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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酸化物薄膜

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