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J-GLOBAL ID：202002230753798542   整理番号：20A0284212

Mg拡散による低ゲート漏れを持つノーマリオフAlGaN/GaN HEMTを作製するための高効率法【JST・京大機械翻訳】

A highly efficient method to fabricate normally-off AlGaN/GaN HEMTs with low gate leakage via Mg diffusion

著者 (7件)： Wan Lijun (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China) ,  Sun Peiye (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China) ,  Liu Xinyao (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China) ,  Chen Dingbo (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China) ,  Que Xianfeng (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China) ,  Yao Shunan (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China) ,  Li Guoqiang (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 2  ページ： 023504-023504-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製するために,Mg拡散によるp型ドーピングゲートを実現する方法を提案した。作製は,ゲート領域への欠陥を導入するための最初の僅かなエッチングと,それからAlGaN障壁への拡散Mgイオンへの急速なアニーリングにより完了し,それによりp型ドーピング層を形成し,正にシフトした閾値電圧を形成する。さらに,熱酸化によって形成されたMgO層は,以前のエッチング手順で引き起こされた表面トラップを効果的に不動態化することができた。作製したままのHEMTは,2×10~7mA/mmの低いゲート漏れと1.4VのV_THを実証した。この技術は,高性能GaNパワーデバイスを作製するための簡単で高効率な方法を提供する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  酸化マグネシウム ,  焼なまし ,  *HEMT ,  不動態化 ,  熱酸化 ,  *マグネシウム
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  閾値電圧 ,  マグネシウムイオン ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  p型ドーピング ,  *高効率 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Mg ,  拡散 ,  ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  作製 ,  高効率