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J-GLOBAL ID：202002230755253957   整理番号：20A1049697

ヘテロ原子ドープ炭素上のブースト電荷蓄積の起源【JST・京大機械翻訳】

Origins of Boosted Charge Storage on Heteroatom-Doped Carbons

著者 (12件)： Cui Cuixia (College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, China) ,  Gao Yong (School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, 710072, China) ,  Li Jun (College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, China) ,  Li Jun (Department of Chemistry and Biochemistry, University of Windsor, Windsor, ON, N9B3P4, Canada) ,  Yang Chao (College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, China) ,  Liu Meng (College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, China) ,  Jin Huile (College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, China) ,  Xia Zhenhai (Department of Materials Science and Engineering, University of North Texas, Denton, TX, 76203, USA) ,  Dai Liming (Center of Advanced Science and Engineering for Carbon, School of Chemical Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, 2052, Australia) ,  Lei Yong (Fachgebiet Angewandte Nanophysik, Institut fuer Physik & IMN MacroNano (ZIK), Technische Universitaet Ilmenau, Ilmenau, 98693, Germany) ,  Wang Jichang (Department of Chemistry and Biochemistry, University of Windsor, Windsor, ON, N9B3P4, Canada) ,  Wang Shun (College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, China)
資料名： Angewandte Chemie  (Angewandte Chemie)
巻： 132  号： 20  ページ： 8002-8007  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0396A  ISSN： 0044-8249  CODEN： ANCEAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ原子ドープ炭素上でのブースト電荷貯蔵の起源を理解するために多大な努力がなされているが,本研究のいずれも全体的な景観を示していない。ここでは,実験的証拠と理論的シミュレーションの両方により,ヘテロ原子ドーピングが広い動作電圧をもたらすだけでなく,水性スーパーキャパシタにおける比静電容量を成功裏に促進することを実証した。特に,ヘテロ原子ドープ炭素上に吸着された電解質カチオンは,水の熱力学的限界(1.23V)を超えても,水性電解質の電圧窓を広げる充電過程の間の水分解の重要な段階である水素発生反応を効果的に阻害することができる。さらに,ヘテロ原子ドープ炭素の吸着エネルギーの減少は,ヘテロ原子ドープ炭素表面上のより多くの貯蔵カチオンをもたらし,その結果,ブースト電荷貯蔵性能をもたらす。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *帯電 ,  電圧 ,  *炭素 ,  電力コンデンサ ,  *ドーピング ,  充電 ,  電解質 ,  カチオン ,  水素発生反応 ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： *ヘテロ原子 ,  スーパーキャパシタ ,  水分解 ,  比静電容量 ,  動作電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ladungspeicher ,  ヘテロソーム ,  Poroser Kohlenstoff ,  可能性の強化

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヘテロ原子 ,  ドープ ,  炭素 ,  電荷蓄積 ,  起源