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J-GLOBAL ID：202002230994156673   整理番号：20A0298978

多層WSe_2におけるバンドギャップ発展とキャリア再分布の解明:熱工学による増強光子放出【JST・京大機械翻訳】

Unveiling Bandgap Evolution and Carrier Redistribution in Multilayer WSe₂: Enhanced Photon Emission via Heat Engineering

著者 (15件)： Li Yuanzheng (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China) ,  Li Yuanzheng (CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China) ,  Liu Weizhen (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China) ,  Xu Haiyang (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China) ,  Chen Heyu (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China) ,  Ren Hang (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China) ,  Shi Jia (CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China) ,  Du Wenna (CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China) ,  Du Wenna (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Zhang Wei (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China) ,  Feng Qiushi (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China) ,  Yan Jiaxu (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China) ,  Zhang Cen (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China) ,  Liu Yichun (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun, 130024, China) ,  Liu Xinfeng (CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China)
資料名： Advanced Optical Materials  (Advanced Optical Materials)
巻： 8  号： 2  ページ： e1901226  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2486A  ISSN： 2195-1071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多層遷移金属ジカルコゲニド(TMD)のバンドギャップ構造とキャリア分布を操作することは,それらの蛍光効率を改善し,それらのオプトエレクトロニクス応用を拡大するために重要である。ここでは,温度と厚さの関数としての多層WSe_2の伝導帯最小値の発展を実験的に実証し,K-K直接発光の約70倍の蛍光増強が熱工学により多層WSe_2フレーク(≒170nm)で560Kで観察された。この異常な増強は,理論計算と温度依存時間分解光ルミネセンスにより確認された,谷間移動により達成された熱駆動キャリア再分布に起因する。さらに,谷間移動の閾値温度を提案し,キャリア再分布モデルのオン状態を記述した。対応する閾値温度は約580Kと決定され,最大光ルミネセンス増強が観測される温度と一致した。本研究は,多層WSe_2および他のTMD材料の光学的および電気的性能を最適化するための有用な戦略を提供した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  蛍光 ,  *熱工学 ,  発光 ,  再分布 ,  最適化 ,  光ルミネセンス ,  フレーク ,  オプトエレクトロニクス ,  *バンドギャップ ,  多層 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 時間分解光ルミネセンス ,  理論計算 ,  蛍光増強 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バンドギャップ発展 ,  キャリア再分配 ,  熱工学 ,  谷間輸送 ,  WSe2

分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (8件)： 多層 ,  バンドギャップ ,  発展 ,  キャリア ,  再分布 ,  熱工学 ,  増強 ,  光子放出