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J-GLOBAL ID：202002231184001175   整理番号：20A0333158

Al_2O_3不動態化による中波長赤外HgCdTDベースNbN構造における拡散制限暗電流【JST・京大機械翻訳】

Diffusion-limited dark currents in mid-wave infrared HgCdTd-based nBn structures with Al₂O₃ passivation

著者 (8件)： Voitsekhovskii A V (National Research Tomsk State University, Tomsk 634050, Russia) ,  Nesmelov S N (National Research Tomsk State University, Tomsk 634050, Russia) ,  Dzyadukh S M (National Research Tomsk State University, Tomsk 634050, Russia) ,  Dvoretsky S A (National Research Tomsk State University, Tomsk 634050, Russia) ,  Dvoretsky S A (A V Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Mikhailov N N (A V Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Sidorov G Y (A V Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Yakushev M V (A V Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk 630090, Russia)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 5  ページ： 055107 (6pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(013)基板上に分子線エピタクシーにより成長させたN-Hg_1-xCd_xTeに基づくMWIR nBn構造の暗電流の研究結果を示した。障壁層のCdTe含有量は0.84で,その厚さは210nmである。表面電流を抑制するために,プラズマ増強原子層蒸着によって形成されたAl_2O_3層による不動態化を用いた。184Kの温度での暗電流密度と-1Vの電圧バイアスは3.1×10~-6Acm-2である。180Kより高い温度では,nBn構造を通る全電流は拡散成分によって決定される。180~300Kの温度範囲では,暗電流値はRule07の経験モデルに良く対応した。これらの値は,MOCVD HgCdTeとIII-V材料に基づく最新の中赤外障壁検出器の暗電流値と同程度である。研究したnBn構造はMBE HgCdTeに基づく以前に記述された類似体よりも低い暗電流を有し,メサ構造の側壁の高品質不動態化と関連している可能性がある。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *暗電流 ,  プラズマ ,  *不動態化 ,  電圧 ,  *電流 ,  中波 ,  表面電流 ,  テルル化カドミウム水銀 ,  MOCVD ,  メサ構造 ,  ヒ化ガリウム ,  *赤外線 ,  テルル化カドミウム ,  バイアス ,  MBE成長

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 不動態化 ,  波長 ,  赤外 ,  NbN ,  拡散 ,  制限 ,  暗電流