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J-GLOBAL ID：202002231224285346   整理番号：20A1064975

異方性s波超伝導体2H-NbSe2における高等方性面内上部臨界磁場【JST・京大機械翻訳】

Highly Isotropic In-plane Upper Critical Field in the Anisotropic s-Wave Superconductor 2H-NbSe₂

著者 (8件)： Yasuzuka Syuma (Research Center for Condensed Matter Physics, Hiroshima Institute of Technology, Hiroshima, Japan) ,  Uji Shinya (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Sugiura Shiori (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Sugiura Shiori (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Terashima Taichi (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Nogami Yoshio (Department of Physics, Okayama University, Okayama, Japan) ,  Ichimura Koichi (Department of Applied Physics, Hokkaido University, Kita-ku Sapporo, Japan) ,  Tanda Satoshi (Department of Applied Physics, Hokkaido University, Kita-ku Sapporo, Japan)
資料名： Journal of Superconductivity and Novel Magnetism  (Journal of Superconductivity and Novel Magnetism)
巻： 33  号： 4  ページ： 953-958  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0180A  ISSN： 1557-1939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状遷移金属ジカルコゲナイド2H-NbSe_2に対する抵抗率測定を行い,2.0Kまでの温度で14.5Tまでの磁場に対する上部臨界磁場(H_c2)の面内異方性を調べた。基底面内で回転した場に対して,特性場H*(抵抗率がゼロに達する場強度と定義される)の面内異方性は低温で二重対称性を示した。この結果に基づいて,2H-NbSe_2におけるH_c2の面内異方性と超伝導ギャップ構造を議論した。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  *磁場 ,  対称性 ,  低温 ,  電気抵抗率 ,  *臨界 ,  等方性 ,  *上部臨界磁場 ,  s波超伝導体 ,  超伝導ギャップ ,  面内異方性 ,  s波超伝導

著者キーワード (4件)： 2H-NbSe_2 ,  上部臨界場 ,  異方性s波超伝導 ,  超伝導ギャップ

分類 (3件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 異方性 ,  s波超伝導体 ,  等方性 ,  上部臨界磁場