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J-GLOBAL ID：202002231285243713   整理番号：20A1037928

遷移金属ジカルコゲナイドのvan der Waalsヘテロ接合におけるバンドからバンドへのトンネリングの材料依存性【JST・京大機械翻訳】

Material dependence of band-to-band tunneling in van der Waals heterojunctions of transition metal dichalcogenides

著者 (3件)： Hashimoto Futo (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Tanaka Hajime (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Mori Nobuya (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 25  ページ： 255107 (13pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲニドから成るvan der Waalsヘテロ接合のバンド間(BTB)トンネリング電流に関する比較シミュレーション研究を,強束縛近似と結合した非平衡Green関数に基づく方法を用いて行った。長いチャネルでは,低いトンネル透過のディップ構造がソース電極からドレイン電極への伝達関数に現れる。このディップ構造は輸送窓の中央に現れ,バンド構造の反交差ギャップに起因する。衛星谷(Q谷)が輸送窓内に位置するとき,BTBトンネル電流は強く増強されることが分かった。この増強は,Q谷支援BTBトンネリングに起因する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  シミュレーション ,  バンド構造 ,  伝達関数 ,  *トンネル効果 ,  浸漬 ,  チャネル ,  強束縛近似 ,  *遷移金属ダイカルコゲナイド
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  非平衡Green関数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 薄膜一般  (BK14010X) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  静電気学,静磁気学  (BD01010C) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  VAN ,  ヘテロ接合 ,  バンド ,  トンネリング ,  材料依存性