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J-GLOBAL ID：202002231426630787   整理番号：20A0061535

表面ドーピングによるSiC上のエピタキシャルグラフェンのバンドギャップ広がりに関する紫外光電子分光研究【JST・京大機械翻訳】

An ultraviolet photoelectron spectroscopy study on bandgap broadening of epitaxial graphene on SiC with surface doping

著者 (11件)： Hu Yanfei (School of Microelectronics, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Liu Jialin (School of Microelectronics, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Dou Wentao (SICC Co., Ltd, Jinan, 250018, China) ,  Mao Kaili (Department of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, 710048, China) ,  Guo Lixin (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Chong Laiyuan (School of Microelectronics, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Hu Jichao (Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, 710048, China) ,  Yuan Hao (School of Microelectronics, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  He Yanjing (School of Microelectronics, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Guo Hui (School of Microelectronics, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Yuming (School of Microelectronics, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 157  ページ： 340-349  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC(0001)上に熱的に成長させたエピタキシャルグラフェンのバンドギャップは,エピタキシャルグラフェン成長の前に基板ドーピングによりバッファ層とSiC表面を修飾することにより,新しい電荷移動機構により広がることができる。シンクロトロン放射に基づく高分解能光電子放出分光法によると,エピタキシャルグラフェンのバンドギャップの広がりはエピタキシャルグラフェンと基板の間のバッファ層の修飾に起因し,SiC中に注入されたドナー-アクセプタとバルク原子はそれらの基板上にEGのバンドギャップを形成する。基板ドーピングによるこの新しいバンドギャップ広がり機構は,将来のエレクトロニクス応用のためのエピタキシャルグラフェンのバンドギャップを非破壊的に広くするための簡単で効果的なアプローチを提供するであろう。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電子放出 ,  電子技術 ,  *炭化ケイ素 ,  ドナー ,  高分解能 ,  *バンドギャップ ,  電荷移動 ,  バッファ層 ,  シンクロトロン放射 ,  アクセプタ ,  *ドーピング
準シソーラス用語： *UPS【電子分光】 ,  *エピタキシャルグラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドーピング ,  SiC ,  エピタキシャルグラフェン ,  バンドギャップ ,  広がり ,  紫外光電子分光 ,  研究