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J-GLOBAL ID：202002231438413712   整理番号：20A1395043

RF-MBEによるGaInN薄膜の成長温度特性

Impact of growth temperature on GaInN alloys grown on GaN templates by RF-MBE

著者 (5件)： 比留川大輝 (工学院大学院工) ,  吉田涼介 (工学院大学院工) ,  山口智広 (工学院大学院工) ,  尾沼猛儀 (工学院大学院工) ,  本田徹 (工学院大学院工)
資料名： 日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)
巻： 2019  ページ： 2P50(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U1883A  ISSN： 2434-8589  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaInNは通常GaN上に成長させる. GaNとGaInNには格子不整合が存在するため,成長したGaInNに結晶欠陥が発生する。結晶品質の良いGaInNを成長させるためには,結晶欠陥の低減などの技術的課題が残されている.本研究では,RF-MBE法を用いてGaN基板上に異なる成長温度520720°Cで成長を行い,XRD-RSM測定によって結晶品質について議論を行う(著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒素化合物 ,  格子不整合 ,  格子欠陥 ,  *温度
準シソーラス用語： *RF-MBE ,  結晶欠陥 ,  *成長温度

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  成長 ,  温度特性