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J-GLOBAL ID：202002231469282734   整理番号：20A1437386

水素化アモルファスシリコン/結晶シリコンヘテロ接合に及ぼすインジウムスズ酸化物二重層の堆積の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of deposition of indium tin oxide double layers on hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterojunction

著者 (7件)： Semma Masanori (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan) ,  Gotoh Kazuhiro (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan) ,  Wilde Markus (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Megro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Ogura Shohei (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Megro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Kurokawa Yasuyoshi (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan) ,  Fukutani Katsuyuki (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Megro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Usami Noritaka (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 6  ページ： 065008-065008-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質シリコン/結晶シリコンヘテロ接合の不動態化性能に及ぼす透明導電性酸化物層としての酸化インジウムスズ(ITO)のスパッタリング堆積の効果について報告する。不動態化性能に及ぼすスパッタリング損傷の影響を0nmから80nmまでITO層厚を変えて研究した。不動態化性能は10nmまでかなり減少し,20nmから80nmまで徐々に増加し,スパッタリング過程中に損傷と回復段階が存在することを示す。回復現象の原因として注入エネルギーに焦点を当てた。ヘテロ界面での初期損傷を最小にしながら,回復段階の影響を意図的に高めることにより,不動態化性能を最適化するために,高周波電力を堆積中に50Wから100Wに変え,ITO二重層を作製する二段階スパッタリングプロセスを開発した。2段階スパッタリングはより低い損傷を与え,ITO二重層の特性はITO単層のものより良い。これらの結果は,二段階スパッタリングがより大きなa-Si:H不動態化を実現できることを示した。さらに,従来のITO単層と比較して,ITO二重層において良好な光学特性が得られた。したがって,ITO堆積中の高周波電力の調整は,より高い変換効率を提供できる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  光学的性質 ,  最適化 ,  スパッタリング ,  不動態化 ,  *水素化 ,  層厚 ,  スパッタ蒸着 ,  *酸化インジウムスズ ,  *アモルファスシリコン
準シソーラス用語： 二重層 ,  *a-Si:H ,  透明導電性酸化物 ,  ヘテロ界面 ,  *結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素化アモルファスシリコン ,  結晶シリコン ,  ヘテロ接合 ,  インジウムスズ酸化物 ,  重層 ,  堆積