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J-GLOBAL ID:202002231510836459   整理番号:20A1692344

HiPIMSにおけるターゲットと基板領域でのスパッタチタン種のイオン化分率【JST・京大機械翻訳】

Ionisation fractions of sputtered titanium species at target and substrate region in HiPIMS
著者 (5件):
資料名:
巻: 29  号:ページ: 055010 (10pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0479A  ISSN: 0963-0252  CODEN: PSTEEU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,チタン原子とイオンの基底状態数密度,イオン化密度分率およびイオン化フラックス分率を,高出力インパルスマグネトロンスパッタリングプロセスで測定した。堆積チャンバ内の3つの関心領域を研究した。磁化プラズマ領域,中間領域,および基板領域。パルス長と印加電力を一定に保ち,作動圧力とデューティサイクルを変化させた。有効分岐分率法を用いて,測定した発光信号からスパッタ種の数密度を評価した。バイアス可能な石英結晶微量天秤システムを用いて,イオン化フラックス分率と堆積速度を評価した。90%の最高のイオン化密度分率が1.2%デューティサイクルの目標領域で達成され,それは作動圧力にほとんど依存しなかった。ターゲットからの移動により,イオン化密度分率が減少することが観察された。2%以下のデューティサイクルと研究した全作動圧力範囲では,イオン化密度分率は常に少なくとも50%に達した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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プラズマ応用  ,  プラズマ装置 
タイトルに関連する用語 (3件):
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