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J-GLOBAL ID：202002231940226009   整理番号：20A0899596

固有の低ターンオン電圧と超低逆漏れ電流を持つ三ゲートハイブリッドアノードAlGaN/GaN電力ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Tri-Gated Hybrid Anode AlGaN/GaN Power Diode With Intrinsic Low Turn-on Voltage and Ultralow Reverse Leakage Current

著者 (7件)： Zhou Qi (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China) ,  Chen Kuangli (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China) ,  Huang Peng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China) ,  Han Xiaoqi (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China) ,  Xiong Wei (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China) ,  Chen Wanjun (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China) ,  Zhang Bo (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 4  ページ： 1712-1717  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,真性低ターンオン電圧(V_ON)を有する新しい三ゲートハイブリッドアノードAlGaN/GaN電力ダイオード(TG-HAD)を実証した。超薄障壁(UTB)AlGaN/GaNヘテロ構造に基づく新しいフォワードV_ON変調技術を提案した。ダイオードのV_ONは,UTBヘテロ構造の二次元電子ガス(2DEG)チャネルの固有閾値電圧によって決定され,それは正確に制御され,AlGaN障壁厚さを調整することによって基本的に優れた均一性を特徴とする。一方,平面GaNダイオードと比較して,提案したTG-HADは,トリゲート設計による効果的に抑制されたバッファ漏れに起因する著しい逆漏れ電流低減を達成した。詳細なデバイス特性と基礎となる機構をTCADシミュレーションにより調べた。提案したターンオン電圧変調技術と共にTG-HADは,電力応用のための高性能大周辺デバイスの作製に有望である。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *ダイオード ,  電力応用 ,  *漏れ電流 ,  計算機周辺装置 ,  *窒化ガリウム ,  二次元電子ガス
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  閾値電圧 ,  TCAD ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  デバイス特性 ,  *ターンオン電圧 ,  *AlGaN/GaN ,  *電力ダイオード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 固有 ,  ターンオン電圧 ,  漏れ電流 ,  AlGaN ,  GaN ,  電力ダイオード