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J-GLOBAL ID：202002232469254157   整理番号：20A0419739

n-Si基板上の個々の金ナノ粒子の埋め込みと特性化によるナノSchottkyダイオードの性能指数の改良【JST・京大機械翻訳】

Improved figures of merit of nano-Schottky diode by embedding and characterizing individual gold nanoparticles on n-Si substrates

著者 (8件)： Abbas Yawar (Department of Physics, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE) ,  Rezk Ayman (Department of Physics, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE) ,  Anwer Shoaib (Department of Mechanical Engineering, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE) ,  Saadat Irfan (Department of Electrical and Computer Engineering, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE) ,  Nayfeh Ammar (Department of Electrical and Computer Engineering, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE) ,  Rezeq Moh’d (Department of Physics, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE) ,  Rezeq Moh’d (Department of Electrical and Computer Engineering, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE) ,  Rezeq Moh’d (System on Chip Center, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, UAE)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 31  号： 12  ページ： 125708 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスにおけるSchottkyダイオード特性の改善は,ナノスケールでの電子およびオプトエレクトロニクスデバイスにおけるより良い機能性にとって不可欠である。本論文では,導電性モード原子間力顕微鏡(CAFM)を用いて,金(Au)チップ/n-Si系ナノSchottkyダイオードの電気輸送特性を調べた。最初に,平均直径10nmのAuナノ粒子(NPs)を,最適化したスピンコーティング技術を用いて,高度に清浄化したn型Si基板上に単分散させた。AFMのACイメージングモードを用いて,制御された良く分散したNPsを確認した。電気的特性は,Au被覆AFMチップを用いて,n-Si基板の表面または個々のAu NPの表面でのソフトエンエージングによって確立された。NPまたはn-Si基板上のAFMチップの着陸をAFMの力曲線により検証した。局在化したCAFM電気特性から,(1-V)非対称性(f_ASYM)を含む整流性能とAFMチップとn-Si基板間にAu NPを置くことによるターンオン電圧を特性化する性能指数(FOM)の改善を観測した。ナノスケールダイオードのこれらの改良FOMをナノスケールAu-NP/n-Si界面におけるトンネリング電流の増加に基づいて説明した。さらに,界面構造のナノスケール制御は,ナノSchottkyダイオードの特性を改善するために非常に重要である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非対称性 ,  被覆 ,  界面 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  整流 ,  半導体素子 ,  最適化 ,  スピンコーティング ,  原子間力顕微鏡 ,  電気特性 ,  電気的性質 ,  キャラクタリゼーション ,  *ダイオード ,  *金 ,  導電性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  金ナノ粒子 ,  埋め込み ,  特性化 ,  Schottkyダイオード ,  性能指数