文献

J-GLOBAL ID：202002232582130530   整理番号：20A0634391

酸化チタン被覆結晶シリコンヘテロ接触の水素含有量と表面形態に及ぼすガスアニーリング形成の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of forming gas annealing on hydrogen content and surface morphology of titanium oxide coated crystalline silicon heterocontacts

著者 (7件)： Nakagawa Yuta (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan) ,  Gotoh Kazuhiro (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan) ,  Wilde Markus (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Ogura Shohei (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Kurokawa Yasuyoshi (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan) ,  Fukutani Katsuyuki (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Usami Noritaka (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 38  号： 2  ページ： 022415-022415-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリア選択接触を用いた結晶性シリコン(c-Si)ヘテロ接合太陽電池は,簡単な作製プロセスによるそれらの高い電力変換効率のためにかなりの注目を集めている。酸化チタン(TiO_x)は,優れた表面不動態化とキャリア選択輸送を提供できる最も有望な材料の一つである。本研究では,原子層蒸着(ALD)により,TiO_x/SiO_x/c-Siヘテロ接触を作製し,核反応分析(NRA)と原子間力顕微鏡(AFM)測定を用いて,水素含有量と表面形態に及ぼす形成ガスアニーリング(FGA)の影響を調べた。891μsの最高有効キャリア寿命(τ_eff)を,400°C,3分間のFGA後のTiO_x/SiO_x/c-Siヘテロ接触に対して実現し,高い表面不動態化性能が得られることを示した。NRAは,TiO_x/SiO_x/c-Siヘテロ接触における水素含有量が,FGA温度と持続時間の増加とともに減少することを明らかにした。FGA温度と持続時間の増加とともに,TiO_x/SiO_x/c-Siヘテロ接触の表面も粗くなり,それは,TiO_x/SiO_x/c-Siヘテロ接触の結晶化の強化を意味する。NRAとAFM分析から,著者らは,TiO_x/SiO_x/c-Siヘテロ接触における水素含有量とTiO_x層の結晶化の間にトレードオフ関係があると結論づける。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核反応分析 ,  *水素 ,  結晶化 ,  キャリア寿命 ,  原子間力顕微鏡 ,  継続時間 ,  *酸化チタン
準シソーラス用語： 表面不動態化 ,  電力変換効率 ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  *表面形態 ,  *結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化チタン被覆 ,  結晶シリコン ,  テロ ,  水素 ,  含有量 ,  表面形態 ,  アニーリング