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J-GLOBAL ID：202002232955449222   整理番号：20A1577082

加工基板上のGaN垂直パワーFinFETの最初の実証【JST・京大機械翻訳】

First Demonstration of GaN Vertical Power FinFETs on Engineered Substrate

著者 (6件)： Zubair A. (Massachusetts Institute of Technology,Cambridge,MA,U.S.A,02139) ,  Perozek J. (Massachusetts Institute of Technology,Cambridge,MA,U.S.A,02139) ,  Niroula J. (Massachusetts Institute of Technology,Cambridge,MA,U.S.A,02139) ,  Aktas O. (Qromis, Inc.,Santa Clara,CA,U.S.A,95051) ,  Odnoblyudov V. (Qromis, Inc.,Santa Clara,CA,U.S.A,95051) ,  Palacios T. (Massachusetts Institute of Technology,Cambridge,MA,U.S.A,02139)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN垂直電力FinFETは,次世代の高周波電力エレクトロニクス応用のための有望な高電圧スイッチである。垂直フィンチャネルのおかげで,デバイスは優れた静電および閾値電圧制御を提供し,他の垂直GaNパワートランジスタと異なり,エピタキシャル再成長1またはp型ドーピング2の必要性を排除した。1200V絶縁破壊電圧(BV),5A電流定格および優れたスイッチング性能指数を有する垂直GaN FinFETを,自立GaN基板3に関して最近示した。この有望な性能にもかかわらず,これらのデバイスの商業化は,自立GaN基板の高コスト(50~100/cm2)と小径(λ≦2インチ)によって制限されてきた。GaN-on-Siウエハの使用は,基板コストを,約1000減少させることができたが,しかし,kVクラス応用に必要な厚い(λ>10μmまたはより厚い)ドリフト層の成長は,Si上で非常に挑戦的である。代わりに,整合熱膨張係数を有する人工基板(QST(R))上に成長したGaNは,厚い(>10μm)ドリフト層と大きなウエハ直径(8~12インチ)を有する低コスト垂直GaN FinFETを可能にした。本研究では,初めて,設計した基板上のGaNパワーFinFETを実証した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  電流 ,  電力 ,  ケイ素 ,  電力トランジスタ ,  ドリフト ,  電子技術 ,  熱膨張係数 ,  *窒化ガリウム ,  接続品質 ,  商業化
準シソーラス用語： 再成長 ,  *FinFET ,  閾値電圧 ,  絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  垂直 ,  パワー ,  FinFET ,  実証