Ishihara Jun について
Department of Applied Physics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo 125-8585, Japan について
Kitazawa Go について
Department of Applied Physics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo 125-8585, Japan について
Furusho Yuya について
Department of Applied Physics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo 125-8585, Japan について
Ohno Yuzo について
Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennoudai, Tsukuba 305-8573, Japan について
Ohno Hideo について
Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan について
Miyajima Kensuke について
Department of Applied Physics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo 125-8585, Japan について
Physical Review. B について
ヒ化ガリウム について
拡散係数 について
磁場 について
キャリア密度 について
外部磁場 について
量子井戸 について
変調ドーピング について
密度依存性 について
二次元電子ガス について
光ポンピング について
ヒ化ガリウムアルミニウム について
シミュレーション について
励起 について
スピンダイナミクス について
有効磁場 について
13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 について
表面の電子構造 について
電気光学効果,磁気光学効果 について
永久 について
スピン について
ヘリックス について
高移動度 について
二次元電子ガス について
磁場 について
スピン歳差運動 について