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J-GLOBAL ID：202002233285149387   整理番号：20A1746652

Sn変調ドーピングによる周囲温度でのp型Si_1-x-yGe_xSn_y薄膜における高い熱電性能の実現【JST・京大機械翻訳】

Realizing high thermoelectric performance in p-type Si_1-x-yGe_xSn_y thin films at ambient temperature by Sn modulation doping

著者 (10件)： Peng Ying (Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China) ,  Lai Huajun (Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China) ,  Liu Chengyan (Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China) ,  Gao Jie (Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China) ,  Kurosawa Masashi (Department of Materials Physics, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Nakatsuka Osamu (Department of Materials Physics, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Takeuchi Tsunehiro (Research Center for Smart Energy Technology, Toyota Technological Institute, Nagoya 468-8511, Japan) ,  Zaima Shigeaki (Division of Materials Science and Engineering, Graduate School of Science and Technology, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Tanemura Sakae (Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China) ,  Miao Lei (Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 5  ページ： 053903-053903-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Bイオン注入熱電Si_1-x-yGe_xSn_y三元合金膜について,高周波スパッタリングとそれに続く短時間急速熱焼鈍熱処理により,Bイオン注入熱電Si_1-x-yGe_xSn_y三元合金膜について,力率(PF)値1950μWm-1K-2を報告した。Si_1-x-yGe_xSn_y膜におけるSnの変調ドーピングにより,高いPF値を記録した。ナノ粒子として金属Sn,マトリックスとしてSi_1-x-yGe_xSn_yを用いると,キャリア濃度の大きな増強とキャリア移動度の非常に小さい減少につながった。その結果,変調ドープSi_1-x-yGe_xSn_y合金の電気伝導率と力率は大幅に改善された。本研究の知見は,体温によって帯電したウェアラブルデバイスとしてのSi集積熱電の変調のための新たな機会を提示する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  合金 ,  電気伝導率 ,  熱処理 ,  *薄膜 ,  *スズ ,  力率 ,  体温 ,  三元合金 ,  キャリア密度 ,  RFスパッタリング ,  *変調ドーピング ,  RTA【熱処理】 ,  ナノ粒子 ,  ウェアラブルデバイス

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Sn ,  変調ドーピング ,  周囲温度 ,  薄膜