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J-GLOBAL ID：202002233296565540   整理番号：20A1580185

水酸化反応のためのn型シリコン(n-Si)光電極上のp型酸化ニッケル(p-NiO)における硫黄取込みの役割【JST・京大機械翻訳】

Role of Sulfur Incorporation in p-Type Nickel Oxide (p-NiO) on n-Type Silicon (n-Si) Photoelectrodes for Water Oxidation Reactions

著者 (4件)： Joe Jemee (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, South Korea) ,  Ho Thi Anh (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, South Korea) ,  Bae Changdeuck (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, South Korea) ,  Shin Hyunjung (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, South Korea)
資料名： ACS Applied Energy Materials  (ACS Applied Energy Materials)
巻： 3  号： 5  ページ： 4255-4264  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5032A  ISSN： 2574-0962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NiOは光電気化学(PEC)酸素発生反応(OER)のための有望な電極触媒である。Ni-(OH)_2/NiOOHへの相転移はOERの鍵となる段階であり,追加の過電圧を必要とする。この相変態による形態変化は,アルカリ溶液中で下層Si表面を露出し,臨界安定性問題をもたらす。ここでは,NiO膜への硫黄(S)の取り込みは,初期電荷移動特性を加速するだけでなく,相転移中の急速な溶解により膜歪を軽減し,長い光電気化学(PEC)動作を示すことを報告する。ビス-(ジメチルアミノ-2-メチル-2-ブトキシ)-ニッケルと過酸化水素を用いた原子層堆積(ALD)化学を導入し,薄いNiO膜を成長させ,初めてPEC水分解に適用した。成長速度,構造,表面粗さ,仕事関数,および光学的性質を,X線反射率,X線回折,原子間力顕微鏡,および紫外線光電子分光法によって完全に研究した。n-Si/NiOのPEC特性を,ALD-NiOの異なる厚さと元素Sとの組み込みによって調べた。著者らは,Sの導入が,立方晶NiOの層状Ni-(OH)_2/NiOOH構造への急速で均一な変換をもたらし,電気化学的コンディショニングプロセス中の亀裂と剥離を避けることを見出した。S-NiOからのSi光電極上のNi-(OH)_2/NiOOHは,約20mA・cm-2の光電流で約120時間,強いアルカリ条件(pH13)下で安定で最適な性能を示した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  亀裂 ,  光電流 ,  仕事関数 ,  相転移 ,  電荷移動 ,  *ケイ素 ,  過電圧 ,  過酸化水素 ,  *酸化ニッケル ,  電極触媒 ,  *硫黄 ,  立方晶系 ,  光電気化学 ,  *光電極

著者キーワード (6件)： ALD ,  NiO ,  光電気化学的水酸化 ,  S取込み ,  電荷移動 ,  電気化学的相転移

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 水酸化反応 ,  N型シリコン ,  Si ,  光電極 ,  酸化ニッケル ,  硫黄 ,  取込み ,  役割