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J-GLOBAL ID：202002233384365796   整理番号：20A2556288

ab initioベースNEGF計算と一致する遷移金属ジカルコゲナイドチャネルトンネルFETのためのTCADシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

TCAD simulation for transition metal dichalcogenide channel Tunnel FETs consistent with ab-initio based NEGF calculation

著者 (6件)： Asai Hidehiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Device Technology Research Institute,Tsukuba,Japan) ,  Kuroda Tatsuya (Osaka University,Graduate School of Engineering,Suita,Japan) ,  Fukuda Koich (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Device Technology Research Institute,Tsukuba,Japan) ,  Hattori Junichi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Device Technology Research Institute,Tsukuba,Japan) ,  Ikegami Tsutomu (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Tsukuba,Japan) ,  Mori Nobuya (Osaka University,Graduate School of Engineering,Suita,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： SISPAD  ページ： 93-96  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ab initioバンド構造を考慮した材料パラメータを持つTMDCチャネルTFETのTCADシミュレーションを行った。上記のパラメータを有するWKBベースの非局所バンド対バンドトンネル(BTBT)モデルを使用することによって,著者らはTFETの電流電圧特性が顕微鏡的NEGF計算によって得たそれらと良く一致することを見出した。このアプローチに基づいて,ゲート長に対するトンネル漏れ電流の依存性も調べた。著者らのシミュレーション方法は,TMDCチャネルTFETのための信頼できる巨視的デバイスシミュレーションのための道を開く。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  バンド構造 ,  電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  チャネル
準シソーラス用語： ゲート長 ,  材料パラメータ ,  *TCAD ,  デバイスシミュレーション ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  シミュレーション方法 ,  *遷移金属ダイカルコゲナイド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 計算 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  チャネル ,  トンネルFET ,  TCAD ,  シミュレーション