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J-GLOBAL ID：202002233468255997   整理番号：20A0916276

SiGe-MEMS-on-CMOS技術を用いたモノリシック3-Axis加速度計のサブμW動作と雑音低減【JST・京大機械翻訳】

Sub-μW Operation and Noise Reduction of Monolithic 3-Axis Accelerometers Using a SiGe-MEMS-on-CMOS Technique

著者 (9件)： Kurui Yoshihiko (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation,Japan) ,  Tomizawa Hideyuki (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation,Japan) ,  Saito Tomohiro (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation,Japan) ,  Fujimoto Akira (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation,Japan) ,  Akita Ippei (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST),Japan) ,  Miyahara Masaya (High Energy Accelerator Research Organization (KEK),Japan) ,  Maenaka Kazusuke (University of Hyogo,Japan) ,  Kojima Akihiro (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation,Japan) ,  Shibata Hideki (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： MEMS  ページ： 785-790  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,1μW以下の超低電力(ULP)動作の最初の実証と,SiGe-MEMS-on-CMOS技術を用いたモノリシック3軸加速度計により実現した雑音低減について報告した。本研究では,ULP動作はモノリシック構成の高感度SiGe-MEMSと低電力CMOS回路を組み込むことに起因する。電力消費はアクティブモードで273nW,スタンバイモードで160nWであることを確認した。さらに,本研究では,最初に,雑音低減の観点から,モノリシック構成の定量的利点を評価し,結果は,ワイヤボンディングを用いた2チップ構成と比較して,30%低い雑音密度であり,寄生容量の53%低減から生じることを示した。この研究は,ULP動作を可能にし,雑音低減はIoT応用に望まれるセンサの長い電池寿命に寄与する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *雑音 ,  *加速度計 ,  電力消費 ,  ワイヤボンディング ,  漂遊容量 ,  *雑音低減 ,  センサ ,  高感度 ,  *MEMS ,  *CMOS
準シソーラス用語： 低電力化 ,  超低消費電力 ,  CMOS集積回路 ,  *シリコンゲルマニウム ,  モノのインターネット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  MEMS ,  CMOS技術 ,  加速度計 ,  サブ ,  雑音低減