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J-GLOBAL ID：202002233494987586   整理番号：20A1110592

パターン化Ga-As共ドーピングによる単層スタンネンにおける効率的なバンドギャップ開口:半導体ナノ電子デバイスに向けて【JST・京大機械翻訳】

Efficient band gap opening in single-layer stanene via patterned Ga-As codoping: Towards semiconducting nanoelectronic devices

著者 (5件)： Hongyan Li (School of Management, Guangdong University of Technology, Guangzhou, China) ,  Guixian Tian (School of Business, Pingxiang University, Pingxiang, China) ,  Bin He (School of Management, Guangdong University of Technology, Guangzhou, China) ,  Dan Lu (School of Management, Guangdong University of Technology, Guangzhou, China) ,  Liu Zhenling (School of Materials Science and Engineering, Henan University of Technology, China)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 264  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スタネンは将来の有望な電子デバイスの設計と開発のための有望な候補と考えられている。Ga,AsおよびGa-As共ドープしたスタネンナノシートの平衡構造および電子挙動を精査し,半導体材料技術の分野における進歩を完全に説明した。生成エネルギー計算は,Ga/Asドープ/共ドープしたスタネン単分子層が熱力学的に安定であることを示した。GaとAs原子の共ドーピングによる固有スタネンのバンドギャップの可変性を詳細に調べた。スタネンのFermi準位周辺のバンドギャップの出現もパターン化したGaとAsの共ドーピングによって達成された。したがって,Ga-As共ドープしたスタネンは,生産的な半導体材料として振舞う。GaドープとAsドープの両方のスタネンナノシートは,Fermi準位の原子価と伝導帯への位置の顕著なシフトのために金属性を示す。全電荷密度スキームは,Ga/Asと隣接Sn原子と同様に,GaとAsの間の共有結合の形成を示した。結果として,Ga-As共ドープしたスタネンは完全な系と比較して優れた半導体挙動を示し,ナノセンサおよびナノ電子デバイスの有望な材料として応用できる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体 ,  *ガリウム ,  *ヒ素 ,  半導体材料 ,  単分子層 ,  Fermi準位 ,  伝導バンド ,  *ドーピング ,  共有結合 ,  金属性 ,  *パターン形成 ,  *バンドギャップ ,  ナノシート
準シソーラス用語： *共ドーピング ,  スタネン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： DFT ,  スタンネン ,  Ga-As共ドーピング ,  バンド構造 ,  Electron密度差 ,  形成エネルギー

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： パターン化 ,  Ga ,  共ドーピング ,  単層 ,  バンドギャップ ,  ナノ電子デバイス