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J-GLOBAL ID:202002233588372302   整理番号:20A2193395

水潤滑における固定研磨におけるSiCの除去機構の分子動力学研究【JST・京大機械翻訳】

Molecular dynamics study of the removal mechanism of SiC in a fixed abrasive polishing in water lubrication
著者 (6件):
資料名:
巻: 46  号: 16 PA  ページ: 24961-24974  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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水潤滑環境におけるSiC基板の機械的除去機構を分子動力学(MD)シミュレーションにより調べた。SiC基板の表面品質,表面下損傷,除去効率,および構造相転移を,種々の水膜厚と外部負荷の下で固定研磨(FAP)で分析した。水潤滑環境において,少量の水分子がSiC基板とダイヤモンド研磨剤の間の界面に圧縮される。その結果,最大プレス深さは,外部荷重の影響とは対照的に,水膜厚の増加とともに減少することを示した。相転移と摩擦熱は両方ともプレス深さが減少すると減少し,さらにFAP中の基板の応力と温度を低下させる。水層は表面粗さと表面下損傷深さにプラスの影響を与える。さらに,水潤滑ナノアブレーションにおける除去効率は乾燥プロセスのそれよりも低かった。本研究は,水潤滑環境下でのSiC基板の機械的除去機構を理解し,FAPの加工技術を改善するための理論的指針を与える。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  セラミック・磁器の性質 
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