文献
J-GLOBAL ID:202002233664584144   整理番号:20A1020970

高透過減衰位相シフトマスクによる先進メモリデバイスのための新しい改良計測法【JST・京大機械翻訳】

New improving metrology for advanced memory devices with high transmission attenuated phase shift mask
著者 (12件):
資料名:
巻: 11325  ページ: 113252U-10  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
より良い分解能を達成し,リソグラフィープロセスウィンドウを改善するために,デバイスメーカーは,高透過減衰位相シフトマスク(HTM)を検討または採用している。デバイスパターンの臨界寸法均一性(CDU)は,従来の減衰位相シフトマスクと比較して,高透過マスクにより非常に良くなり,それは,それを先進メモリ素子に対する魅力的な選択にする。しかしながら,それは,計測センサにより要求されるようなデバイスパターンとして異なる次元を持つ,アラインメントマークまたはマイクロ回折ベースのオーバレイ(uDBO)マークのような計測目標に対する挑戦を提起する。課題は,印刷性,検出可能性,精度,プロセス適合性,および同じデバイス層上の欠陥を含む。本論文では,これらの課題に取り組むための解決策を示し,それにより,HTMを有する高度なメモリデバイスに対する計測学を改善した。ウエハ上のマークコントラストを犠牲にすることなく,アラインメントマークのウエハ品質はアラインメントマークのようなアレイに対して10倍まで改善され,uDBOマークのスタック感度もアレイのようなアレイの7倍以上増加することができた。ターゲット設計,ターゲットOPC,およびレシピセットアップを含む全体的なターゲットアプローチを通して,最適なオンプロダクトオーバレイとデバイス収率のための正確な計測を達成することができる。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る