文献

J-GLOBAL ID：202002233768006438   整理番号：20A1662381

安定で効率的なペロブスカイト太陽電池のためのI/P界面改質【JST・京大機械翻訳】

I/P interface modification for stable and efficient perovskite solar cells

著者 (12件)： Jie Zhang (INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,) ,  Shixin Hou (INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,) ,  Renjie Li (INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,) ,  Bingbing Chen (INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,) ,  Fuhua Hou (INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,) ,  Xinghua Cui (INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,) ,  Jingjing Liu (INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,) ,  Qi Wang (INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,) ,  Pengyang Wang (INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,) ,  Dekun Zhang (INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,) ,  Ying Zhao (INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,) ,  Xiaodan Zhang (INSTITUTE OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF NANKAI UNIVERSITY, TIANJIN 300350, CHINA;KEY LABORATORY OF PHOTOELECTRONIC THIN FILM DEVICES AND TECHNOLOGY OF TIANJIN, TIANJIN 300350,)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 41  号： 5  ページ： 75-81  発行年： 2020年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面工学はペロブスカイト太陽電池(PSC)の開発においてますます重要な役割を果たす。ここでは,効率的で安定な平面PSCを作製するため,FA系ペロブスカイトに効果的で簡単な一段階界面不動態化法を採用した。表面欠陥は,正孔輸送とペロブスカイト吸収層の間に取り込まれたペロブスカイト界面不動態化層によって減少し,次に,非放射再結合は抑制され,一方,界面キャリア抽出は強化される。不動態化した平面PSCは20.83%の電力変換効率(PCE)を示し,これはフィルファクタと開回路電圧の同時増強に起因する。さらに,このデバイスはまた,大きな環境および熱安定性を示した。それは,カプセル化なしの周囲空気下で1000時間後の元のPCEの94%を保持し,カプセル化による65°Cでの連続加熱下で400時間後に初期効率の90%を保持した。本研究は,効率的で安定なPSCの開発の戦略を提供する。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  不動態化 ,  熱安定性 ,  表面欠陥
準シソーラス用語： 正孔輸送 ,  開回路電圧 ,  フィルファクタ ,  電力変換効率 ,  周囲空気 ,  非放射再結合 ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  界面 ,  改質