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J-GLOBAL ID：202002233872231005   整理番号：20A2711178

材料におけるブラックホールアナログからの脱出:II型Weyl半金属と一般的エッジ状態【JST・京大機械翻訳】

Escape from black hole analogs in materials: Type-II Weyl semimetals and generic edge states

著者 (2件)： Hashimoto Koji (Department of Physics, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-0043, Japan) ,  Matsuo Yoshinori (Department of Physics, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-0043, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 102  号： 19  ページ： 195128  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タイプIIのWeyl半金属は,ブラックホールの内部に似た傾斜した光円錐を有するバルク励起によって決まる。著者らは,Weylノード近くのタイプIIWeyl半金属の表面境界に対する一般的境界条件を得て,ある境界条件エッジ状態が「ブラックホール」事象水平から脱出できることを示した。これは,II型Weyl半金属による材料「ブラックホール」の実現のために,境界条件の注意深い選択が必要であることを意味する。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  励起 ,  アナログ系 ,  境界条件 ,  *ブラックホール ,  光円錐
準シソーラス用語： *エッジ状態 ,  *Weyl半金属 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ブラックホール ,  アナログ ,  脱出 ,  Weyl半金属 ,  エッジ状態