文献

J-GLOBAL ID：202002233974973673   整理番号：20A0428772

自己集合分子単分子層によりドープしたシリコン中のホウ素の完全活性化【JST・京大機械翻訳】

Full Activation of Boron in Silicon Doped by Self-Assembled Molecular Monolayers

著者 (7件)： Gao Xuejiao (University of Michigan - Shanghai Jiao Tong University Joint Institute, Shanghai Jiao Tong University, China) ,  Kolevatov Ilia (Department of Physics, Center for Material Science and Nanotechnology, University of Oslo, Norway) ,  Chen Kaixiang (University of Michigan - Shanghai Jiao Tong University Joint Institute, Shanghai Jiao Tong University, China) ,  Guan Bin (University of Michigan - Shanghai Jiao Tong University Joint Institute, Shanghai Jiao Tong University, China) ,  Mesli Abdelmadjid (Institut Materiaux Microelectronique Nanosciences de Provence, UMR 6242 CNRS, Universite Aix-Marseille, France) ,  Monakhov Edouard (Department of Physics, Center for Material Science and Nanotechnology, University of Oslo, Norway) ,  Dan Yaping (University of Michigan - Shanghai Jiao Tong University Joint Institute, Shanghai Jiao Tong University, China)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 1  ページ： 268-274  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己集合分子単分子層(SAMM)ドーピングは,複雑な3D表面への原子的に精密で非破壊的なドーピングのユニークな特徴を有する最先端のナノエレクトロニクスにおいて大きな可能性を有する。しかし,SAMMにより導入された炭素不純物は,大部分のキャリアトラップを形成することにより,リンドーパントの活性化速度を著しく低下させることが最近見出された。ドーパントに対する高活性化速度を有する無欠陥SAMMドーピング技術の開発は,信頼できる応用のために重要になっている。ケイ素中の炭素と相互作用しないことを考慮して,ここではHall測定と二次イオン質量分析(SIMS)を用いて,SAMM法によりホウ素ドープシリコン中の欠陥を解析するために,ホウ素活性化速度と深準位過渡分光(DLTS)と少数キャリア過渡分光法(MCTS)を調べた。リンドーパントと異なり,ホウ素ドーパントの活性化速度は100%に近く,欠陥測定結果(DLTSとMCTS)と一致した。1%以下のホウ素ドーパントだけが酸素不純物と結合し,多数の正孔トラップを形成する。興味深いことに,C_sHとC_sOHの形における炭素関連欠陥は,ホウ素ドープシリコンにおける少数トラップ状態として作用し,それは電子を捕捉するだけである。結果として,高濃度の炭素不純物はホウ素ドーパントの活性化速度に影響しなかった。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 三次元 ,  相互作用 ,  *自己集合 ,  少数キャリア ,  不純物 ,  ドーパント ,  キャリア捕獲 ,  炭素 ,  *ケイ素 ,  *単分子層 ,  リン ,  *ホウ素 ,  *ドーピング ,  深準位過渡分光法
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 完全な活性化 ,  ホウ素ドープシリコン ,  分子単分子層ドーピング ,  炭素関連欠陥 ,  少数キャリアトラップ

分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自己集合 ,  分子 ,  単分子層 ,  ドープ ,  シリコン ,  ホウ素 ,  活性化