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J-GLOBAL ID:202002235007394886   整理番号:20A1414937

トポタクチック酸化を用いたAlドープZnOシード層を有するマグネトロンスパッタVO_2薄膜の集合組織と相制御【JST・京大機械翻訳】

Texture and phase control of magnetron-sputtered VO2 thin films with an Al-doped ZnO seed layer using topotactic oxidization
著者 (4件):
資料名:
巻: 394  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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AlドープZnO(AZO)薄膜とトポタクチック酸化を用いて,明確な(010)配向を有する化学量論的VO_2膜を作製する方法を開発した。AZOシード層をラジオ周波数マグネトロンスパッタリング(RF-MS)によりガラス基板上に調製し,次にRF-MSによりAZO膜上にV_2O_3膜を堆積させた。最後に,V_2O_3膜をポストアニールし,V_2O_3相をVO_2相に変換するために空気中でトポタクチック酸化を行った。AZOシード層はV_2O_3をVO_2に変換したが,結晶方位を維持した。結果的に,遷移の前後において,2000nmの波長で64.3%の光透過率の大きな変化と共に,1.55×103倍の電気抵抗率の大きな変化を伴う200nm厚さのVO_2膜を,AZOシード層とトポタクチック酸化との組み合わせによって首尾よく得た。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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