青色高出力InGaN半導体レーザダイオード:最適性能と信頼性のためのレーザ棒と単一エミッタの設計最適化【JST・京大機械翻訳】

Konig Harald; Gerhard Sven; Ali Muhammad; Heine Urs; Tautz Sonke; Eichler Christoph; Bruederl Georg; Peter Matthias; Lell Alfred; Behringer Martin; Keidler Markus; Haupeltshofer Tobias; Walter Christoph; Baumann Markus; Balck Anne; Krause Volker

文献

J-GLOBAL ID：202002235099264004 整理番号：20A1020301

青色高出力InGaN半導体レーザダイオード:最適性能と信頼性のためのレーザ棒と単一エミッタの設計最適化【JST・京大機械翻訳】

Blue high power InGaN semiconductor laser diodes: design optimization of laser bars and single emitters for best performance and reliability

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資料名：
巻： 11262 ページ： 112620Q-9 発行年： 2020年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

青色高出力半導体レーザは,1000W出力電力システムを超える材料処理までの高輝度投影から新しい応用分野を可能にする最近の10年間にわたり,性能が大幅に増加している。最良のシステム性能のためのベースは,半導体デバイスの最適チップ設計と信頼性である。本論文では,青色高出力半導体レーザバーのチップ設計最適化を示した。50%を超える高い横エミッタフィルファクタをもつIRレーザバーとは対照的に,GaNレーザバーに対する最大出力パワーと効率をもつ最適設計は,10%の範囲の非常に低い充填因子であった。5%充填因子から12.5%充填因子までの範囲のレーザ棒設計を製作し,研究した。さらに,200μmと400μmの2つの異なるエミッタピッチを比較した。30μmのエミッタ幅と400μmピッチの設計は全体的に最良の性能をもたらした。さらに,TOパッケージにおける単一エミッタの寿命調査について議論する。レーザダイオードを,64°Cから96°Cの範囲の動作温度と3.5Wまでの出力パワーで,異なる条件で5000時間まで試験した。主な劣化機構は,光出力と付加的熱活性化によって加速される摩耗である。試験結果の外挿は,加速度モデル点と組合せて,25°C運転に対して最大65.000hの寿命を示した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体レーザ

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