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J-GLOBAL ID：202002235377161768   整理番号：20A2501606

ゾル-ゲル処理したTiドープSnO_2薄膜トランジスタの改善された負バイアス安定性【JST・京大機械翻訳】

Improved negative bias stability of sol-gel processed Ti-doped SnO₂ thin-film transistors

著者 (7件)： Lee Won-Yong (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea) ,  Lee Hyunjae (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea) ,  Ha Seunghyun (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea) ,  Lee Changmin (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea) ,  Bae Jin-Hyuk (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea) ,  Kang In-Man (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea) ,  Jang Jaewon (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 11  ページ： 115023 (6pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル処理TiドープSnO_2薄膜トランジスタ(TFTs)を初めて製作し,その構造,化学,光学特性に及ぼすTiドーパント濃度の影響を調べた。導入したTiドーパントは有望な酸素空孔サプレッサーとしての可能性を示した。さらに,結果は,0.1wt%TiドープSnO_2TFTが,10.21cm2V-1s-1の電界効果移動度,0.87のサブ閾値スイング,および1×108のI_on/I_off値,ならびに良好な負バイアス応力特性を有することを示した。Tiドーピングの成功は,その小さなイオンサイズ,高いLewis酸強度,および強い結合強度に起因した。したがって,導入したゾル-ゲル処理TiドープSnO_2 TFTsは,透明ディスプレイおよび大面積エレクトロニクス応用への応用の可能性を有する有望な候補である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  光学的性質 ,  *チタン ,  *薄膜トランジスタ ,  *ドーピング ,  Lewis酸 ,  電子技術 ,  バイアス ,  ドーパント ,  *ゾル-ゲル法 ,  付着強さ
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  大面積 ,  酸素空格子点 ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゾル-ゲル処理 ,  Ti ,  ドープ ,  薄膜トランジスタ ,  バイアス ,  安定性