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J-GLOBAL ID：202002235386796799   整理番号：20A1070817

半スルーホールを有する低容量AlGaN/GaNベースの空気ブリッジ構造プレーナSchottkyダイオード【JST・京大機械翻訳】

Low capacitance AlGaN/GaN based air-bridge structure planar Schottky diode with a half through-hole

著者 (11件)： Yang Longkun (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, 510006 Guangzhou, China) ,  Yao Wanqing (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, 510006 Guangzhou, China) ,  Liu Yuebo (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, 510006 Guangzhou, China) ,  Wang Linglong (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, 510006 Guangzhou, China) ,  Dai Yaqiong (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, 510006 Guangzhou, China) ,  Liu Honghui (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, 510006 Guangzhou, China) ,  Wang Fengge (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, 510006 Guangzhou, China) ,  Ren Yuan (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, 510006 Guangzhou, China) ,  Wu Zhisheng (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, 510006 Guangzhou, China) ,  Liu Yang (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, 510006 Guangzhou, China) ,  Zhang Baijun (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, 510006 Guangzhou, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 4  ページ： 045219-045219-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静電容量と直列抵抗は,ミリ波とテラヘルツ領域におけるそれらの応用のためのSchottky障壁ダイオード(SBD)のカットオフ周波数を決定する2つの主要因である。接合容量はSBDのアノード寸法に密接に関係している。陽極サイズの減少は,接合容量を効果的に減少させることができるが,直列抵抗を増加させ,デバイス製造プロセスの困難さも増加させる。本論文では,半スルーホールを有するAlGaN/GaNベースのエアブリッジ構造平面SBDを研究した。非意図的ドーピング-GaNチャネル層への誘導結合プラズマエッチングにより,円形アノードの中心に半スルーホールを形成した。陽極金属により形成された容量とAlGaN/GaN界面における二次元電子ガスは,陽極の金属領域を保持する条件下で効果的に減少した。19.95μm半径半スルーホールを有する20μm半径アノードSBDの全キャパシタンスは,半スルーホール無しのデバイスの2.32pFから21.5fFまで劇的に減少した。さらに,電流は主に円形陽極の端部に分布しているので,直列抵抗はわずかに増加した。20μm半径の陽極と19.95μm半径の半スルーホールを有する空気ブリッジ平面SBDのカットオフ周波数は,114.1GHzであった。アノードのサイズを減らして,オーム接触を最適化するために,カットオフ周波数をさらに改良することができた。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  最適化 ,  電流 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  ドーピング ,  静電容量 ,  EHF波 ,  *窒化ガリウム ,  Ohm接触 ,  プラズマエッチング ,  アノード ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  接合容量 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： スルーホール ,  AlGaN ,  GaN ,  ブリッジ ,  プレーナ ,  Schottkyダイオード