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J-GLOBAL ID：202002235397158887   整理番号：20A1061656

高出力レーザ放射の多重接合コンバータ用のp-i-n GaAs/AlGaAsトンネルダイオードの開発と研究【JST・京大機械翻訳】

Development and Study of the p-i-n GaAs/AlGaAs Tunnel Diodes for Multijunction Converters of High-Power Laser Radiation

著者 (8件)： Kalinovskii V. S. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Kontrosh E. V. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Klimko G. V. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Ivanov S. V. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Yuferev V. S. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Ber B. Y. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Kazantsev D. Y. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Andreev V. M. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 54  号： 3  ページ： 355-361  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光活性p-n接合の短絡電流密度よりも高いピークトンネル電流密度をもつ接続トンネルダイオードの作製は,高出力光放射の多接合光変換器(III-V)の開発における重要な課題である。トンネルダイオードのJ-U特性の数値シミュレーションに基づいて,トンネルダイオードの縮退層間に数ナノメータの厚さの薄い非ドープi型層を含むことにより,ピークトンネル電流密度を増加させる方法を提案した。200A/cm2までのピークトンネル電流密度をもつ接続トンネルダイオードのp-i-n-GaAs/Al_0.2Ga_0.8As構造を分子線エピタクシーにより成長させた。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接合 ,  *トンネルダイオード ,  変換器 ,  電流電圧特性 ,  光照射 ,  ドーピング ,  電流密度 ,  *高出力レーザ ,  縮退 ,  MBE成長
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  量子トンネル効果 ,  *多重接合 ,  光活性化 ,  短絡電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： トンネルダイオード ,  量子トンネリング ,  電流電圧特性 ,  多重接合光コンバータ ,  分子ビームエピタクシー

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高出力レーザ ,  放射 ,  多重接合 ,  コンバータ ,  GaAs ,  AlGaAs ,  トンネルダイオード ,  開発 ,  研究