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J-GLOBAL ID:202002236128503224   整理番号:20A2448806

レジストパターンのNeonとヘリウム集束イオンビームエッチング【JST・京大機械翻訳】

Neon and helium focused ion beam etching of resist patterns
著者 (4件):
資料名:
巻: 31  号: 47  ページ: 475301 (11pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ヘリウムイオン顕微鏡は,イメージング,ナノ製造および分析において多くの応用を引きつけた。イオンビームを用いたナノ製造における研究の重要な分野は,化学ガス支援の有無でヘリウムまたはネオン集束イオンビーム(FIB)を用いた材料のミリングまたはエッチングである。特に,ネオンFIBは,ヘリウムFIBと比較して,より低い膨潤確率とより少ない再堆積問題を有する比較的高いスパッタリング速度を有した。ここでは,電子線リソグラフィー(EBL)で定義された水素シルセスキオキサン(HSQ)とポリメタクリル酸メチル(PMMA)レジストパターンについて,ミリングと修復のために,ネオンとヘリウムFIBエッチングの両方を調べた。ネオンFIBエッチングの異なる用量は明確なエッチングプロファイルをもたらす。適切な線量を用いて,アスペクト比20以上の均一ギャップのアレイをHSQナノ構造上で達成できた。ネオンFIBエッチングはHSQパターンで20nmの分解能を有した。XeF_2支援により,ネオンFIBエッチングはエッチング深さに対して約1.2倍増強できる。一方,ヘリウムFIBは厚いHSQパターンをエッチングし,はるかに低いエッチング速度を示した。しかし,XeF_2支援により,ヘリウムFIBエッチング深さは,約5倍大きく増強できる。さらに,ヘリウムとネオンFIBエッチング法を用いて,レジストパターンに影響することなく,深い溝と狭い溝の残留粒子を選択的に除去した。これらの残留粒子組成とレジストパターンの化学分析も,ネオンFIBを用いた二次イオン質量分析(SIMS)と組み合わせたヘリウムイオン顕微鏡を用いて行うことができた。また,ネオンFIBは,ナノ製作で一般的に使用されるPMMAパターンを効果的にエッチングでき,不要な接続をエッチングできる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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