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J-GLOBAL ID:202002236723422462   整理番号:20A1727854

Si/SiO_2超格子マイクロディスクアレイ太陽電池構造における光起電力効果【JST・京大機械翻訳】

Photovoltaic effect in Si/SiO2 superlattice microdisk array solar cell structure
著者 (11件):
資料名:
巻: 145  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0600B  ISSN: 0749-6036  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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シリコン/二酸化ケイ素(Si/SiO_2)超格子マイクロディスク(SLMD)アレイ太陽電池構造をフォトリソグラフィープロセスにより作製した。5.6nm厚さのSi層と2.5nm厚のSiO_2層から成る超格子を用いてSi/SiO_2SLMDアレイ太陽電池から661mVの開回路電圧を得た。この開回路電圧は多結晶シリコンマイクロディスク太陽電池のものより著しく高い。また,開回路電圧の量子効率と温度依存性を調べた。詳細な分析は,Si/SiO_2超格子のバンドギャップが約1.4eVであり,c-Siよりも大きいことを示唆した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 

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